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受到第三季進入旺季需求帶動，記憶體、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢，集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，記憶體在筆電需求回溫、智慧型手機延續強勁成長態勢、與伺服器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。
由於今年中國品牌智慧型手機表現超乎預期，伺服器出貨也受惠於中國數據中心需求增溫，下半年台系伺服器代工廠訂單與較上半年平均成長近兩成，促使DRAM原廠自第二季開始大幅調升行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM的產出，並調降標準型DRAM出貨。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，今年第四季Mobile DRAM出貨比重將逼近45％，伺服器DRAM出貨比重突破25％，標準型DRAM則僅剩不到20％。
然而，從筆電的市況來看，第三季北美地區筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供不應求，4GB DDR3/DDR4模組合約均價終於止跌回穩並站上13.5美元。在原廠仍維持轉進毛利高的Mobile DRAM的策略下，DRAMeXchange預估，第四季標準型DRAM價格將持續上漲，4GB DDR3/DDR4模組合約價將上看15美元，季漲幅（季均價對季均價）將達15％，整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來一年都將維持健康供需狀態。
Mobile DRAM則持續受惠中國智慧型手機拉貨需求，及新一代iPhone備貨將在第四季達高峰，目前已有部分中國大廠與主要DRAM供應商訂定的第四季合約漲價超過一成，預期第四季Mobile DRAM漲幅也將相當可觀。
在NAND Flash部分，第三季蘋果與中國系統大廠華為、Vivo、OPPO等拉貨動能優於預期，對整體2D NAND Flash產能消耗十分龐大，尤在NAND Flash原廠轉進3D NAND速度不如預期情況下，市場供不應求。此外，企業級固態硬碟（SSD）需求、筆電SSD搭載率快速提升，同步造成第三季NAND Flash出現產能缺口。
受到上述系統端強大需求，及製程轉進不順的影響，讓三星、東芝、SanDisk、美光等供應商，對模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange調查顯示，截至8月下旬，主流TCL規格128Gb NAND晶圓合約均價已較6月底漲10％以上。
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